Question

【題目】T2噬菌體侵染細(xì)菌的部分實(shí)驗(yàn)如圖所示。下列敘述正確的是（　　）

A. ①中的細(xì)菌為子代噬菌體的產(chǎn)生提供了模板和原料

B. 上清液出現(xiàn)放射性的原因是攪拌不充分

C. ②操作可使細(xì)菌外的噬菌體與細(xì)菌分離

D. 放射性32P大量存在于沉淀中，即可說明DNA是遺傳物質(zhì)

Answer 1

【答案】C

【解析】

噬菌體侵染細(xì)菌的過程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：來源于細(xì)菌）→組裝→釋放。噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用35S和32P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)。用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，上清液中有少量放射性的原因：a．保溫時(shí)間過短，部分噬菌體沒有侵染到大腸桿菌細(xì)胞內(nèi)，經(jīng)離心后分布于上清液中，使上清液出現(xiàn)放射性。b．保溫時(shí)間過長，噬菌體在大腸桿菌內(nèi)增殖后釋放子代，經(jīng)離心后分布于上清液中，也會使上清液的放射性含量升高。

A、①中噬菌體DNA復(fù)制的模板是由噬菌體提供的，而原料、能量、酶均由細(xì)菌提供，A錯(cuò)誤；
B、根據(jù)上述分析可知，上清液出現(xiàn)放射性的原因是保溫時(shí)間過長或過短，B錯(cuò)誤；
C、②操作可使細(xì)菌外的噬菌體與細(xì)菌分離，C正確；
D、本實(shí)驗(yàn)缺少對照組，不能充分說明DNA是遺傳物質(zhì)，D錯(cuò)誤。

故選C。