Question

【題目】（選修3物質結構與性質）（15分）

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態，含VIA族元素的化臺物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題：

（1）S單質的常見形式為S8，其環狀結構如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 ；

（2）原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離

子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為 ；

（3）Se原子序數為 ，其核外M層電子的排布式為 ；

（4）H2Se的酸性比H2S （填“強”或“弱”）。氣態SeO3分子的立體構型

為 ，SO32-離子的立體構型為 ；

（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7x l0-3和2.5x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，

K2為1.2X10-2，請根據結構與性質的關系解釋：

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：

；

② H2SeO4比 H2SeO3酸性強的原因：

（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm．密度為 （列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）

Answer 1

【答案】（1）SP3

（2）O＞S＞Se

（3）34 3s23p63d10

（4）強 正四面體 平面三角形

（5）①H2SeO4和H2SeO3第一步電離產生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。

②對同一種元素的含鹽酸來說，該元素的化合價越高，其含氧酸的酸性越強。

（6）4.1

【解析】

（1）因為S8為環狀立體結構，鍵角為120°，所以軌道雜化方式為SP3。

（2）根據同主族電離能變化規律，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為O＞S＞Se.（3）Se原子序數為34，其核外M層電子的排布式為3s23p63d10（4）原子半徑越大，氫化物越容易電離出氫離子，所以H2Se的酸性比H2S強。氣態SeO3分子的立體構型為正四面體，SO32-離子的立體構型為平面三角形。（5）①H2SeO4和H2SeO3第一步電離產生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。