Question

【題目】砷化硼是一種具有超高熱導率的新型半導體材料，其制備原理為。下列說法錯誤的是（ ）

A.圖a表示結構，分子中成鍵電子對與孤電子對的數目之比為3:1

B.圖b表示晶態單質硼的基本結構單元，該基本結構單元為正二十面體

C.圖c表示晶胞結構，原子的配位數為4

D.該反應所涉及的元素中，I的原子半徑最大

Answer 1

【答案】A

【解析】

A．結合圖a可知，分子中成鍵電子對數=6，孤電子對數=1×4=4，所以分子中成鍵電子對與孤電子對的數目之比=6:4=3:2，A錯誤；

B．由圖b可知，單質硼的基本結構單元中上、下、前、后各5個正三角形，所以單質硼的基本結構單元為正二十面體，B正確；

C．As原子的半徑比B原子大，圖c中較大原子為As原子，由晶胞結構圖可知，每個As原子與4個B原子相連，As的配位數為4，C正確；

D．B為第二周期元素，As為第四周期元素，I為第五周期元素，所以反應中所涉及的元素，I的原子半徑最大，D正確。

答案選A。