Question

【題目】高純度單晶硅是典型的無(wú)機(jī)非金屬材料，又稱“半導(dǎo)體”材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”。這種材料可以按下列方法制備：

SiO2Si(粗)SiHCl3Si(純)，下列說(shuō)法正確的是(　　)

A.步驟①的化學(xué)方程式為SiO2＋CSi＋CO2↑

B.步驟①、②、③中每生成或反應(yīng)1 mol Si，轉(zhuǎn)移4 mol電子

C.二氧化硅能與氫氟酸反應(yīng)，而硅不能與氫氟酸反應(yīng)

D.SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸點(diǎn)67.6 ℃)，通過(guò)蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3

Answer 1

【答案】D

【解析】

A．二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體，即步驟①的化學(xué)方程式為：SiO2+2CSi+2CO↑，故A錯(cuò)誤；

B．步驟①中Si的化合價(jià)降低4，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為4mol，步驟②中生成SiHCl3，化合價(jià)升高2，步驟③中每生成1mol Si，轉(zhuǎn)移2mol電子，故B錯(cuò)誤；

C．二氧化硅和硅均能與氫氟酸反應(yīng)，故C錯(cuò)誤；

D．沸點(diǎn)相差30℃以上的兩種液體可以采用蒸餾的方法分離，則SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸點(diǎn)67.6 ℃)，通過(guò)蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3，故D正確；

故答案為D。