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如圖K43－5甲所示，在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為m、邊長(zhǎng)為a的單匝均勻正方形銅線框從位置1以速度v₀進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，此時(shí)t＝0，若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a)，在3t₀時(shí)刻線框到達(dá)位置2速度又為v₀并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)．此過程中v－t圖象如圖乙所示，則(　　)

A．t＝0時(shí)，線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav₀

B．在t₀時(shí)刻線框的速度為v₀－

C．線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間(位置3)的速度一定比t₀時(shí)刻線框的速度大

D．線框從進(jìn)入磁場(chǎng)(位置1)到完全離開磁場(chǎng)(位置3)的過程中產(chǎn)生的電熱為2Fb

甲　　　　　　　　乙

圖K43－5

 如圖1所示，真空室中電極K發(fā)出的電子（初速不計(jì)）經(jīng)過U₀＝1000伏的加速電場(chǎng)后，由小孔S沿兩水平金屬板A、B間的中心線射入。A、B板長(zhǎng)l＝0.20米，相距d＝0.020米，加在A、B兩板間電壓u隨時(shí)間t變化的u-t圖線如圖2所示。設(shè)A、B間的電場(chǎng)可看作是均勻的，且兩板外無電場(chǎng)。在每個(gè)電子通過電場(chǎng)區(qū)域的極短時(shí)間內(nèi)，電場(chǎng)可視作恒定的。兩板右側(cè)放一記錄圓筒，筒在左側(cè)邊緣與極板右端距離b＝0.15米，筒繞其豎直軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，周期T＝0.20秒，筒的周長(zhǎng)s＝0.20米，筒能接收到通過A、B板的全部電子。 　　

（1）以t＝0時(shí)（見圖2，此時(shí)u＝0）電子打到圓筒記錄紙上的點(diǎn)作為xy坐標(biāo)系的原點(diǎn)，并取y軸豎直向上。試計(jì)算電子打到記錄紙上的最高點(diǎn)的y坐標(biāo)和x坐標(biāo)。（不計(jì)重力作用）

（2）在給出的坐標(biāo)紙（圖3）上定量地畫出電子打到記錄紙上的點(diǎn)形成的圖線�！　　　　�

w.w.w.k.s.5.u.c.

 如圖1所示，真空室中電極K發(fā)出的電子（初速不計(jì)）經(jīng)過U₀＝1000伏的加速電場(chǎng)后，由小孔S沿兩水平金屬板A、B間的中心線射入。A、B板長(zhǎng)l＝0.20米，相距d＝0.020米，加在A、B兩板間電壓u隨時(shí)間t變化的u-t圖線如圖2所示。設(shè)A、B間的電場(chǎng)可看作是均勻的，且兩板外無電場(chǎng)。在每個(gè)電子通過電場(chǎng)區(qū)域的極短時(shí)間內(nèi)，電場(chǎng)可視作恒定的。兩板右側(cè)放一記錄圓筒，筒在左側(cè)邊緣與極板右端距離b＝0.15米，筒繞其豎直軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，周期T＝0.20秒，筒的周長(zhǎng)s＝0.20米，筒能接收到通過A、B板的全部電子�！　�

（1）以t＝0時(shí)（見圖2，此時(shí)u＝0）電子打到圓筒記錄紙上的點(diǎn)作為xy坐標(biāo)系的原點(diǎn)，并取y軸豎直向上。試計(jì)算電子打到記錄紙上的最高點(diǎn)的y坐標(biāo)和x坐標(biāo)。（不計(jì)重力作用）

（2）在給出的坐標(biāo)紙（圖3）上定量地畫出電子打到記錄紙上的點(diǎn)形成的圖線。　　　　　

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（08年正定中學(xué)月考）（16分）如圖1所示，真空室中電極K發(fā)出的電子（初速不計(jì)）經(jīng)過U₀＝1000伏的加速電場(chǎng)后，由小孔S沿兩水平金屬板A、B間的中心線射入。A、B板長(zhǎng)l＝0.20米，相距d＝0.020米，加在A、B兩板間電壓u隨時(shí)間t變化的u-t圖線如圖2所示。設(shè)A、B間的電場(chǎng)可看作是均勻的，且兩板外無電場(chǎng)。在每個(gè)電子通過電場(chǎng)區(qū)域的極短時(shí)間內(nèi)，電場(chǎng)可視作恒定的。兩板右側(cè)放一記錄圓筒，筒在左側(cè)邊緣與極板右端距離b＝0.15米，筒繞其豎直軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，周期T＝0.20秒，筒的周長(zhǎng)s＝0.20米，筒能接收到通過A、B板的全部電子。 　　
    （1）以t＝0時(shí)（見圖2，此時(shí)u＝0）電子打到圓筒記錄紙上的點(diǎn)作為xy坐標(biāo)系的原點(diǎn)，并取y軸豎直向上。試計(jì)算電子打到記錄紙上的最高點(diǎn)的y坐標(biāo)和x坐標(biāo)。（不計(jì)重力作用）
    （2）在給出的坐標(biāo)紙（圖3）上定量地畫出電子打到記錄紙上的點(diǎn)形成的圖線�！　�

(20分)薄膜材料氣密性能的優(yōu)劣常用其透氣系數(shù)來加以評(píng)判．對(duì)于均勻薄膜材料，在一定溫度下，某種氣體通過薄膜滲透過的氣體分子數(shù)，其中t為滲透持續(xù)時(shí)間，S為薄膜的面積，d為薄膜的厚度，為薄膜兩側(cè)氣體的壓強(qiáng)差．k稱為該薄膜材料在該溫度下對(duì)該氣體的透氣系數(shù)．透氣系數(shù)愈小，材料的氣密性能愈好．

圖為測(cè)定薄膜材料對(duì)空氣的透氣系數(shù)的一種實(shí)驗(yàn)裝置示意圖．EFGI為滲透室，U形管左管上端與滲透室相通，右管上端封閉；U形管內(nèi)橫截面積A＝0.150cm²．實(shí)驗(yàn)中，首先測(cè)得薄膜的厚度d =0.66mm，再將薄膜固定于圖中處，從而把滲透室分為上下兩部分，上面部分的容積，下面部分連同U形管左管水面以上部分的總?cè)莘e為V₁，薄膜能夠透氣的面積S =1.00cm²．打開開關(guān)K₁、K₂與大氣相通，大氣的壓強(qiáng)P₁＝1.00atm，此時(shí)U形管右管中氣柱長(zhǎng)度，．關(guān)閉K₁、K₂后，打開開關(guān)K₃，對(duì)滲透室上部分迅速充氣至氣體壓強(qiáng)，關(guān)閉K₃并開始計(jì)時(shí)．兩小時(shí)后， U形管左管中的水面高度下降了．實(shí)驗(yàn)過程中，始終保持溫度為．求該薄膜材料在時(shí)對(duì)空氣的透氣系數(shù)．（本實(shí)驗(yàn)中由于薄膜兩側(cè)的壓強(qiáng)差在實(shí)驗(yàn)過程中不能保持恒定，在壓強(qiáng)差變化不太大的情況下，可用計(jì)時(shí)開始時(shí)的壓強(qiáng)差和計(jì)時(shí)結(jié)束時(shí)的壓強(qiáng)差的平均值來代替公式中的．普適氣體常量R = 8.31Jmol^-1K^-1，1.00atm = 1.013×10⁵Pa）．