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(1)兩點間的電勢差. (2)勻強磁場的磁感應強度.(3)圓形有界勻強磁場的最小面積. 【查看更多】

粗細均勻的電阻絲圍成如圖所示的線框，置于正方形有界勻強磁場中，磁感強度為B，方向垂直于線框平面，圖中ab=bc=2cd=2de=2ef=2fa=2L。現使線框以同樣大小的速度v勻速沿四個不同方向平動進入磁場，并且速度方向始終與線框先進入磁場的那條邊垂直，則在通過如圖所示位置時，下列說法中正確的是( )

A.圖①中ab兩點間的電勢差最大 B.圖②中ab兩點間的電勢差最大

C.圖③中回路電流最大 D.圖④中回路電流最小

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（16分）利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫。離子源產生的離子，經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集。整個裝置內部為真空。已知被加速的兩種正離子的質量分別是和，電荷量均為.加速電場的電勢差為，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質量為的離子進入磁場時的速率；

(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.

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利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。

如圖所示的矩形區域ABCD（AC邊足夠長）中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫。離子源產生的離子，經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集，整個裝置內部為真空。

已知被加速度的兩種正離子的質量分別是和，電荷量均為。加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略，不計重力，也不考慮離子間的相互作用。

（1）求質量為的離子進入磁場時的速率；

（2）當感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距s；

（3）在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響，實際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬，可能使兩束離子在GA邊上的落點區域受疊，導致兩種離子無法完全分離。

設磁感應強度大小可調，GA邊長為定值L，狹縫寬度為d，狹縫右邊緣在A處；離子可以從狹縫各處射入磁場，入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離，求狹縫的最大寬度。

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（16分）利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫。離子源產生的離子，經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集。整個裝置內部為真空。已知被加速的兩種正離子的質量分別是和，電荷量均為.加速電場的電勢差為，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質量為的離子進入磁場時的速率；
(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.

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利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫。離子源產生的離子，經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集。整個裝置內部為真空，已知被加速的兩種正離子的質量分別是m₁和m₂(m₁>m₂)，電荷量均為q。加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略。不計重力，也不考慮離子間的相互作用。
(1)求質量為m₁的離子進入磁場時的速率V₁。
(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距s。
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響，實際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬，可能使兩束離子在GA邊上的落點區域交疊，導致兩種離子無法完全分離，設磁感應強度大小可調，GA邊長為定值L，狹縫寬度為d，狹縫右邊緣在A處，離子可以從狹縫各處射入磁場，入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離，求狹縫的最大寬度。