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清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}

Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應的離子方程式               ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應中氧化劑為                   。

（2）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

結論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                劑；NaOH作_____             劑，降低反應             。高溫無水環境下，NaOH作               劑。

Ⅱ.在工業中利用鎂制取硅：2Mg＋SiO₂2MgO＋Si，同時有副反應發生：2Mg＋SiMg₂Si，Mg₂Si遇鹽酸迅速反應生成SiH₄(硅烷)，SiH₄在常溫下是一種不穩定、易分解的氣體。如圖是進行Mg與SiO₂反應的實驗裝置：

由于氧氣的存在對該實驗有較大影響，實驗中應通入氣體X作為保護氣，試管中的固體藥品可選用________(填序號)。        a．石灰石　　　b．鋅�！　　�c．純堿

（4）實驗開始時，必須先通入X氣體，再加熱反應物，其理由是______________________________，當反應開始后，移走酒精燈反應能繼續進行，其原因是___________________________。

（5）反應結束后，待冷卻至常溫時，往反應后的混合物中加入稀鹽酸�？捎^察到閃亮的火星，產生此現象的原因用化學方程式表示為_______________________________________。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。回答下列問題
Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應的離子方程式              ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH^一反應，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄。基于此原理分析反應中氧化劑為                  。
（2）本校化學興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：