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如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場時線框所受安培力的大小．

2.求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差U_ab隨時間t變化的圖線．

如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

【小題1】求cd邊未進(jìn)入右方磁場時線框所受安培力的大小．
【小題2】求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．
【小題3】在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差U_ab隨時間t變化的圖線．

如圖所示，有理想邊界的兩個勻強磁場，磁感應(yīng)強度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場時線框所受安培力的大小．

2.求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差U_ab隨時間t變化的圖線．

(1)求cd邊未進(jìn)入右方磁場時線框所受安培力的大小；

(2)求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱；

(3)在坐標(biāo)圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差U_ab隨時間t變化的圖線．