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在右圖所示的LC振蕩電路中,通過P點的電流隨時間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點向右的電流規定為i軸的正方向,則(     )

A、0至0.5ms內,電容器C正在充電

B、0.5ms至1ms內,電容器上極板帶正電荷

C、1ms至1.5ms內,Q點比P點電勢高

D、1.5ms至2ms內磁場能在減少，磁感應強度增大

在如圖所示的LC振蕩電路中,通過P點的電流隨時間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點向右的電流規定為i軸的正方向,則

A．0至0.5ms內,電容器C正在充電

B．0.5ms至1ms內,電容器上極板帶正電荷

C．1ms至1.5ms內,Q點比P點電勢高

D．1.5ms至2ms內磁場能在減少

在右圖所示的LC振蕩電路中,通過P點的電流隨時間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點向右的電流規定為i軸的正方向,則(       )

A、0至0.5ms內,電容器C正在充電

B、0.5ms至1ms內,電容器上極板帶正電荷

C、1ms至1.5ms內,Q點比P點電勢高

D、1.5ms至2ms內磁場能在減少，磁感應強度增大

在右圖所示的LC振蕩電路中,通過P點的電流隨時間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過P點向右的電流規定為i軸的正方向,則(     )

A、0至0.5ms內,電容器C正在充電

B、0.5ms至1ms內,電容器上極板帶正電荷

C、1ms至1.5ms內,Q點比P點電勢高

D、1.5ms至2ms內磁場能在減少，磁感應強度增大

如右圖（a）所示的LC振蕩電路中,通過P點的電流隨時間變化的圖線如圖 (b)所示,若把通過P點向右的電流規定為i軸的正方向,則

A．0至0.5ms內,電容器C正在充電         

B．0.5ms至1ms內,電容器上極板帶正電荷

C．1ms至1.5ms內,Q點比P點電勢高                    

D．1.5ms至2ms內電場能在減少