題目列表(包括答案和解析)
坐標系，在
和
m處有兩個與
軸平行的水平界面
和
把空間分成Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區域，在三個區域中分別存在勻強磁場
、
、
，其大小滿足
，方向如圖甲所示.在Ⅱ區域中的
軸左右兩側還分別存在勻強電場
、
（圖中未畫出），忽略所有電、磁場的邊緣效應. 
是以坐標原點
為中心對稱的正方形，其邊長
.現在界面上的
處沿軸正方向發射一比荷
C/kg的帶正電荷的粒子（其重力不計），粒子恰能沿圖中實線途經
三點后回到點并做周期性運動，軌跡構成一個“0”字.己知粒子每次穿越Ⅱ區域時均做直線運動. 、場的大小和方向.處以相同的速度發射相同的粒子，請在Ⅱ和Ⅲ區城內重新設計適當的勻強電場或勻強磁場，使粒子運動的軌跡成為上、下對稱的“8”字，且粒子運動的周期跟甲圖中相同，請通過必要的計算和分析，求出你所設計的“場”的大小、方向和區域，并在乙圖中描繪出帶電粒子的運動軌跡和你所設計的“場”.（上面半圓軌跡己在圖中畫出）
某同學設想用帶電粒子的運動軌跡做出“0”、“8”字樣，首先，如圖甲所示，在真空空間的豎直平面內建立
坐標系，在
和
處有兩個與
軸平行的水平界面
和
把空間分成Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區域，在三個區域中分別存在勻強磁場
、
、
，其大小滿足
，方向如圖甲所示.在Ⅱ區域中的
軸左右兩側還分別存在勻強電場
、
（圖中未畫出），忽略所有電、磁場的邊緣效應. 
是以坐標原點
為中心對稱的正方形，其邊長
.現在界面上的
處沿軸正方向發射一比荷
的帶正電荷的粒子（其重力不計），粒子恰能沿圖中實線途經
三點后回到點并做周期性運動，軌跡構成一個“0”字.已知粒子每次穿越Ⅱ區域時均做直線運動.
（1）求、場的大小和方向.
（2）去掉Ⅱ和Ⅲ區域中的勻強電場和磁場，其他條件不變，仍在處以相同的速度發射相同的粒子，請在Ⅱ和Ⅲ區城內重新設計適當的勻強電場或勻強磁場，使粒子運動的軌跡成為上、下對稱的“8”字，且粒子運動的周期跟甲圖中相同，請通過必要的計算和分析，求出你所設計的“場”的大小、方向和區域，并在乙圖中描繪出帶電粒子的運動軌跡和你所設計的“場”.（上面半圓軌跡已在圖中畫出）
某同學設想用帶電粒子的運動軌跡做出“0”、“8”字樣，首先，如圖甲所示，在真空空間的豎直平面內建立xoy坐標系，在y1=0.1m和y2= -0.1m處有兩個與x軸平行的水平界面PQ和MN把空間分成Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區域，在三個區域中分別存在勻強磁場B1、B2、B3，其大小滿足B2=2B1=2B3=0.02T，方向如圖甲所示。在Ⅱ區域中的y軸左右兩側還分別存在勻強電場E1、E2（圖中未畫出），忽略所有電、磁場的邊緣效應. ABCD是以坐標原點O為中心對稱的正方形，其邊長L=0.2m。現在界面PQ上的A處沿y軸正方向發射一比荷q/m=108c/kg的帶正電荷的粒子（重力不計），粒子恰能沿圖中實線途經B、C、D三點后回到A點并做周期性運動，軌跡構成一個“0”字.己知粒子每次穿越Ⅱ區域時均做直線運動.
（1）求E1、E2場的大小和方向
（2）若去掉Ⅱ和Ⅲ區域中的勻強電場和磁場，其他條件不變，仍在
處以相同的速度發射相同的粒子，請在Ⅱ和Ⅲ區域內重新設計適當的勻強電場或勻強磁場，使粒子運動的軌跡成為上、下對稱的“8”字，且粒子運動的周期跟甲圖中相同，請通過必要的計算和分析，求出你所設計的“場”的大小、方向和區域，并在乙圖中描繪出帶電粒子的運動軌跡和你所設計的“場”（上面半圓軌跡己在圖中畫出）
某同學設想用帶電粒子的運動軌跡做出“0”、“8”字樣，首先，如圖甲所示，在真空空間的豎直平面內建立xoy坐標系，在y1=0.1m和y2= -0.1m處有兩個與x軸平行的水平界面PQ和MN把空間分成Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區域，在三個區域中分別存在勻強磁場B1、B2、B3，其大小滿足B2=2B1=2B3=0.02T，方向如圖甲所示。在Ⅱ區域中的y軸左右兩側還分別存在勻強電場E1、E2（圖中未畫出），忽略所有電、磁場的邊緣效應. ABCD是以坐標原點O為中心對稱的正方形，其邊長L=0.2m。現在界面PQ上的A處沿y軸正方向發射一比荷q/m=108c/kg的帶正電荷的粒子（重力不計），粒子恰能沿圖中實線途經B、C、D三點后回到A點并做周期性運動，軌跡構成一個“0”字.己知粒子每次穿越Ⅱ區域時均做直線運動.
（1）求E1、E2場的大小和方向
（2）若去掉Ⅱ和Ⅲ區域中的勻強電場和磁場，其他條件不變，仍在處以相同的速度發射相同的粒子，請在Ⅱ和Ⅲ區域內重新設計適當的勻強電場或勻強磁場，使粒子運動的軌跡成為上、下對稱的“8”字，且粒子運動的周期跟甲圖中相同，請通過必要的計算和分析，求出你所設計的“場”的大小、方向和區域，并在乙圖中描繪出帶電粒子的運動軌跡和你所設計的“場”（上面半圓軌跡己在圖中畫出）
某同學設想用帶電粒子的運動軌跡做出“0”、“8”字樣，首先，如圖甲所示，在真空空間的豎直平面內建立直角坐標系
，在
和
處有兩個與
軸平行的水平界面
和
，它們把空間分成Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區域，在三個區域內分別存在勻強磁場
、
、
，其
大小滿足
，方
向如圖甲所示．在Ⅱ區域內的
軸左右
兩側還分別存在勻強電場
、
(圖中
未畫出)，忽略所有電、磁場的邊緣效應．
是以坐標原點
為中心對稱的正方
形，其邊長
．現在界面上的
A處沿軸正方向發射一比荷
的帶正電荷的粒子(重力不計)，粒子恰能沿圖中實線途經B、C、，D三點后回到A點并做周期性運動，軌跡構成一個“0”字．已知粒子每次穿越Ⅱ區域時均做直線運動．
(1)求、的大小和方向．
(2)去掉Ⅱ和Ⅲ區域中的勻強電場和磁場，其他條件不變，仍在A處以相同的速度發射相同的粒子，請在Ⅱ和Ⅲ區城內重新設計適當的勻強電場或勻強磁場，使粒子運動的軌跡成為上下對稱的“8”字，且粒子運動的周期跟甲圖中相同．請通過必要的計算和分析，求出你所設計的“場”的大小、方向和區域，并在乙圖中描繪出帶電粒子的運動軌跡和你所設計的“場”．(上面半圓軌跡已在圖中畫出)
題號
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
答案
C
B
B
D
C
D
B
A
B
D
D
題號
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
答案
B
D
C
A
B
ABD
C
AC
AD
AB
BD
23．右 ； .files/image093.gif)
； 半導體材料；
用電器件Z的電流隨電壓變化的規律是.files/image095.gif)
，其具體的表達式為.files/image097.gif)
24．解：（1）對系統AB： .files/image099.gif)
（2）開始時彈簧形變量為.files/image101.gif)
，由平衡條件：
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①
設當A剛離開檔板時彈簧的形變量為.files/image105.gif)
：由：.files/image107.gif)
可得.files/image109.gif)
②
故C下降的最大距離為：.files/image111.gif)
③
由①～③式可解得.files/image113.gif)
④
（3）由能量守恒定律可知：C下落h過程中，C重力勢能的的減少量等于B的電勢能的增量和彈簧彈性勢能的增量以及系統動能的增量之和
當C的質量為M時：.files/image115.gif)
⑤
當C的質量為2M時，設A剛離開擋板時B的速度為V
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⑥
由④～⑥式可解得A剛離開P時B的速度為：.files/image119.gif)
25．（1）由牛頓第二定律可得，電荷進入坐標系第1秒內在y軸正方向有
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第1秒末，對于電荷應有沿y軸正方向的速度：.files/image123.gif)
電荷到達的位置為：.files/image125.gif)
，.files/image127.gif)
由于電荷又經1秒后，返回x軸上某一點，在這1秒內有：
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聯立以上兩式，將已知值帶入求得：E2=60N/C
（2）電荷返回x軸上某點時，應有
電荷沿y軸負方向的速度.files/image133.gif)
電荷沿x軸正方向的速度：.files/image135.gif)
電荷的合速度：.files/image137.gif)
此時電荷到達的位置為：.files/image139.gif)
由此可得，電荷到達x軸上（6，0）點后，將做勻速圓周運動，經一段時間后返回O點，
根據電荷在（6，0）點的速度關系及幾何關系可得：.files/image141.gif)
解得繞得半徑：.files/image143.gif)
又由：.files/image145.gif)
代入解得勻強磁場的磁感應強度：.files/image147.gif)
（3）設當電場變成E2后，電荷經時間t1，沿y軸正方向的速度為零，則有：
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解得， .files/image151.gif)
此段時間內電荷在y軸正方向發生的位移：.files/image153.gif)
.files/image155.gif)
在x軸方向發生的位移：.files/image157.gif)
此時電荷的坐標為：.files/image159.gif)
然后，電荷從（4，.files/image161.gif)
）點將做類平拋運動，在.files/image163.gif)
s時間內返回x軸上的（6，0）點。
最后作勻速圓周運動，回到O點。由以上分析結合（1）（2）問的解答，畫出電荷運動
軌跡如圖所示
26．（1）氧氣向左，二氧化碳向右 擴散作用.files/image165.jpg)
（2）升高（3）曲線如圖 理由：種子吸脹萌發，呼吸作用加強。
呼吸作用增加，釋放CO2增加，提高光合作用速率
（4）CO2濃度過高抑制了呼吸作用等生理過程，從而影
響了光合作用產物的轉動，抑制了光合作用強度。
[或：過高濃度的CO2，使控制氣孔關閉的基因表達，導致氣孔關閉，二氧化碳供應減少，光合作用速度降低]
27．解析：此題為遺傳學題目。（1）此題主要考察遺傳學兩大定律。
P： AaBB×aaBb
↓
F1：AaBB AaBb aaBB aaBb 即后代基因型有4種。
要想自交產生矮生黃果（aabb），找隱性基因最多的，即aaBb植株自交：
F1： aaBb
↓×
F2： 1aaBB 2aaBb 1aabb
表現型： 矮生紅果 矮生黃果
比例： 3 ： 1
（2）此題考察減數分裂，此題容易考慮不全而失分。
減數第一次分裂時A基因所在的同源染色體不分離，情況有兩種，一種是兩條染色體均進入次級卵母細胞，這樣的話，經過正常的減數第二次分裂得到的雌配子染色體數目就為12+1=13條；另一種可能是兩天染色體均進入第一極體，這樣，次級卵母細胞進行正常的減數第二次分裂得到的雌配子染色體數目就為12-1=11條。 因此，得到的雌配子對于A基因來說就有O（表示不含A基因）和AA兩種，與aa產生的雄配子a結合得到的后代基因型就有a（注意此處是單體而非單倍體）和AAa（此處為三體而非三倍體）兩種，對應的株高表現型也就是矮生植株或正常植株。
（3）此題考察基因突變，堿基對的增添、缺失或改變，以及基因的表達過程。（詳見答案）
（4）此題綜合考察基因工程技術及實驗設計的方法，很容易只答一個方面，即只對矮生植株進行過量表達而忽略對正常植株A基因表達的抑制作用。對于第二種方法的思路比較簡單，可能想到的同學出錯能比較少。第③個問題比較簡單，考察基因對性狀的控制。
答案： （1）4 aaBb 矮生紅果：矮生黃果=3：1 （2）13或11 正常或矮生 （3）Y Y突變體的蛋白質中氨基酸的改變比X突變體可能更多（或：X突變體的蛋白質可能只有一個氨基酸發生改變，Y突變體的蛋白質氨基酸序列可能從第一個氨基酸后都改變）。
（4）①答案一： b. 通過轉基因技術，一是抑制正常植株A基因的表達，二是使A基因在矮生植株過量表達。 c. 測定兩個實驗組植株的赤霉素含量和植株。
答案二： b. 通過轉基因技術，抑制正常植株A基因的表達，測定其赤霉素含量和株高。
c. 通過轉基因技術，使A基因在矮生植株過量表達，測定其赤霉素含量和株高。
（答案二中b和c次序不做要求）
②與對照比較，正常植株在A基因表達被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；與對照比較，A基因在矮生植株中過量表達后，該植株赤霉素含量增加，株高增加。
③基因通過控制酶的合成來控制代謝途徑，進而控制生物性狀。
28．
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；.files/image169.gif)
；.files/image171.gif)
；.files/image173.gif)
溶液），若產生白色沉淀，則沉淀沒有洗滌干凈；若無白色沉淀，則沉淀已洗滌干凈。.files/image175.gif)
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H2CO3+OH-；大于；.files/image181.gif)
（2分） ② sp3和sp2（2分）.files/image183.jpg)
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（2）
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得： .files/image193.gif)
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得：.files/image197.gif)
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1.4或.files/image201.gif)
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,由題意及光路圖得：△s=2dtan60°－2dsin30°.files/image207.gif)
光在透明介質里的路程.files/image209.gif)
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+E2=－0.85eV 可見n=4 .files/image215.jpg)