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（1）導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式。

（2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可用推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

（3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測(cè)得兩個(gè)M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

在推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí)，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：

（1）導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式。

（2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可用推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

（3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測(cè)得兩個(gè)M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

在推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí)，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：

下圖是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖。設(shè)法是某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個(gè)電子變成正一價(jià)的分子離子。分子離子從狹縫s₁以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)（初速不計(jì)），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ。最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面而且平行于狹縫s₃的細(xì)線。若測(cè)得細(xì)線到狹縫s₃的距離為d

（1）導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式。

（2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可用推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

（3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測(cè)得兩個(gè)M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

在推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí)，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：

下圖是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖。設(shè)法是某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個(gè)電子變成正一價(jià)的分子離子。分子離子從狹縫s₁以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)（初速不計(jì)），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ。最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面而且平行于狹縫s₃的細(xì)線。若測(cè)得細(xì)線到狹縫s₃的距離為d

（1）導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式。

（2）根據(jù)分子離子的質(zhì)量數(shù)M可用推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

（3）現(xiàn)有某種含C、H和鹵素的化合物，測(cè)得兩個(gè)M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

在推測(cè)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)時(shí)，可能用到的含量較多的同位素的質(zhì)量數(shù)如下表：