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如圖甲所示，在PQ左側(cè)空間有方向斜向右上的勻強(qiáng)電場E₁在PQ右側(cè)空間有一豎直向上的勻強(qiáng)電場E₂=0.4N/C，還有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場B(圖甲中未畫出）和水平向右的勻強(qiáng)電場E₃(圖甲中未畫出），B和E₃隨時(shí)間變化的情況如圖乙所示，MN為距PQ邊界2.295m的豎直墻壁，現(xiàn)有一帶正電的微粒質(zhì)量為4x1O^-7kg電量為1xlO^-5C，從左側(cè)電場中距PQ邊界m的A處無初速釋放后，沿直線以1m/s速度垂直PQ邊界進(jìn)入右側(cè)場區(qū)，設(shè)進(jìn)入右側(cè)場時(shí)刻t=0,取g = lOm/s².求：

(1)PQ左側(cè)勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E₁,的大小及方向。（sin37°=0.6);

(2)帶電微粒在PQ右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)了1.5s時(shí)的速度的大小及方向；

(3)  帶電微粒在PQ右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)多長時(shí)間與墻壁碰撞？()

 

如圖甲所示，在邊界MN左側(cè)存在斜方向的勻強(qiáng)電場E₁，在MN的右側(cè)有豎直向上、場強(qiáng)大小為E₂=0.4N/C的勻強(qiáng)電場，還有垂直紙面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場B（圖甲中未畫出）和水平向右的勻強(qiáng)電場E₃（圖甲中未畫出），B和E₃隨時(shí)間變化的情況如圖乙所示，P₁P₂為距MN邊界2.28m的豎直墻壁，現(xiàn)有一帶正電微粒質(zhì)量為4×10^-7kg，電量為1×10^-5C，從左側(cè)電場中距MN邊界m的A處無初速釋放后，沿直線以1m/s速度垂直MN邊界進(jìn)入右側(cè)場區(qū)，設(shè)此時(shí)刻t=0， 取g =10m/s²．求：

（1）MN左側(cè)勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E₁（sin37º=0.6）；
（2）帶電微粒在MN右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)了1.5s時(shí)的速度；
（3）帶電微粒在MN右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)多長時(shí)間與墻壁碰撞？（≈0.19）

如圖甲所示，在邊界MN左側(cè)存在斜方向的勻強(qiáng)電場E₁，在MN的右側(cè)有豎直向上、場強(qiáng)大小為E₂=0.4N/C的勻強(qiáng)電場，還有垂直紙面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場B（圖甲中未畫出）和水平向右的勻強(qiáng)電場E₃（圖甲中未畫出），B和E₃隨時(shí)間變化的情況如圖乙所示，P₁P₂為距MN邊界2.28m的豎直墻壁，現(xiàn)有一帶正電微粒質(zhì)量為4×10^-7kg，電量為1×10^-5C，從左側(cè)電場中距MN邊界m的A處無初速釋放后，沿直線以1m/s速度垂直MN邊界進(jìn)入右側(cè)場區(qū)，設(shè)此時(shí)刻t=0， 取g =10m/s²．求：

（1）MN左側(cè)勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E₁（sin37º=0.6）；

（2）帶電微粒在MN右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)了1.5s時(shí)的速度；

（3）帶電微粒在MN右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)多長時(shí)間與墻壁碰撞？（≈0.19）

如圖甲所示，在邊界MN左側(cè)存在斜方向的勻強(qiáng)電場E₁，在MN的右側(cè)有豎直向上、場強(qiáng)大小為E₂=0.4N/C的勻強(qiáng)電場，還有垂直紙面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場B（圖甲中未畫出）和水平向右的勻強(qiáng)電場E₃（圖甲中未畫出），B和E₃隨時(shí)間變化的情況如圖乙所示，P₁P₂為距MN邊界2.28m的豎直墻壁，現(xiàn)有一帶正電微粒質(zhì)量為4×10^-7kg，電量為1×10^-5C，從左側(cè)電場中距MN邊界m的A處無初速釋放后，沿直線以1m/s速度垂直MN邊界進(jìn)入右側(cè)場區(qū)，設(shè)此時(shí)刻t=0， 取g =10m/s²．求：

（1）MN左側(cè)勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E₁（sin37º=0.6）；

（2）帶電微粒在MN右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)了1.5s時(shí)的速度；

（3）帶電微粒在MN右側(cè)場區(qū)中運(yùn)動(dòng)多長時(shí)間與墻壁碰撞？（≈0.19）