Question

【題目】研究發(fā)現(xiàn)，在動(dòng)作電位形成過(guò)程中，電壓門(mén)控Na+通道和電壓門(mén)控K+通道的開(kāi)放或關(guān)閉依賴特定的膜電位，其中電壓門(mén)控K+通道的開(kāi)放或關(guān)閉還與時(shí)間有關(guān)，對(duì)膜電壓的響應(yīng)具有延遲性；當(dāng)神經(jīng)纖維某一部位受到一定刺激時(shí)，該部位膜電位出現(xiàn)變化到超過(guò)閾電位時(shí)，會(huì)引起相關(guān)電壓門(mén)控離子通道的開(kāi)放，從而形成動(dòng)作電位。隨著相關(guān)離子通道的開(kāi)放或關(guān)閉恢復(fù)到靜息電位，該過(guò)程中膜電位的變化和相關(guān)離子通道通透性的變化如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）

A.動(dòng)作電位是由足夠強(qiáng)度的刺激引起膜電位的變化，導(dǎo)致電壓門(mén)控Na+通道開(kāi)放，Na+大量涌入細(xì)胞內(nèi)而形成的

B.C點(diǎn)膜內(nèi)外兩側(cè)Na+濃度相等，而d點(diǎn)的膜內(nèi)側(cè)Na+濃度已高于外側(cè)

C.d點(diǎn)不能維持較長(zhǎng)時(shí)間是因?yàn)榇藭r(shí)的膜電位導(dǎo)致電壓門(mén)控Na+通道快速關(guān)閉，電壓門(mén)控K+通道大量開(kāi)放

D.K+通道和鈉鉀泵參與曲線ef段靜息電位的恢復(fù)過(guò)程

Answer 1

【答案】B

【解析】

靜息電位是指細(xì)胞膜未受刺激時(shí)，存在于細(xì)胞膜內(nèi)外兩側(cè)的外正內(nèi)負(fù)的電位差。動(dòng)作電位是指可興奮細(xì)胞受到刺激時(shí)在靜息電位的基礎(chǔ)上產(chǎn)生的可擴(kuò)布的電位變化過(guò)程。動(dòng)作電位的形成條件：①細(xì)胞膜兩側(cè)存在離子濃度差，細(xì)胞膜內(nèi)鉀離子濃度高于細(xì)胞膜外，而細(xì)胞外鈉離子、鈣離子、氯離子高于細(xì)胞內(nèi)，這種濃度差的維持依靠離子泵的主動(dòng)轉(zhuǎn)運(yùn)。（主要是鈉-鉀泵（每3個(gè)Na+流出細(xì)胞, 就有2個(gè)K+流入細(xì)胞內(nèi)。即:Na+：K+=3：2）的轉(zhuǎn)運(yùn)）。②細(xì)胞膜在不同狀態(tài)下對(duì)不同離子的通透性不同，例如，安靜時(shí)主要允許鉀離子通透，而去極化到閾電位水平時(shí)又主要允許鈉離子通透。

A、動(dòng)作電位是由足夠強(qiáng)度的刺激引起膜電位的變化，導(dǎo)致電壓門(mén)控Na+通道開(kāi)放，Na+大量涌入細(xì)胞內(nèi)而形成的，A正確；
B、無(wú)論c點(diǎn)還是d點(diǎn)，膜外鈉離子濃度始終高于膜內(nèi)，B錯(cuò)誤；
C、d點(diǎn)不能維持較長(zhǎng)時(shí)間是因?yàn)榇藭r(shí)的膜電位導(dǎo)致電壓門(mén)控Na+通道快速關(guān)閉，電壓門(mén)控K+通道大量開(kāi)放，K+內(nèi)流，恢復(fù)為靜息電位，C正確；
D、K+通道和鈉鉀泵參與曲線ef 段靜息電位的恢復(fù)過(guò)程，D正確。
故選B。