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下列關于SiO2和CO2的敘述中正確的是（ ）

A．兩者都是酸性氧化物，故都不與酸反應

B．兩者都可以與NaOH 溶液反應

C．CO2的熔、沸點比SiO2高

D．兩者都能與水反應生成對應的酸

氯仿（CHC13）可用作麻醉劑，常因保存不慎而被空氣氧化，產生劇毒物質COC12（光氣）和氯化氫，為了防止事故發生，使用前要檢驗氯仿是否變質，所選用的檢驗試劑可以是（ ）

A．水 B．硝酸銀溶液 C．氫氧化鈉溶液 D．碘化鉀溶液

單晶硅是信息產業中重要的基礎材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硼、磷等雜質），粗硅與氯氣反應生成四氯化硅（反應溫度450～500℃ ），四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息：① 四氯化硅遇水極易水解；② SIC14沸點為57.7℃ ，熔點為-70.0℃ 。請回答：

（1）寫出裝置A 中發生反應的離子方程式_______________。

（2）裝置C 中的試劑是___________；裝置F的作用是_______________；

裝置E 中的h 瓶需要冷卻的理由是_______________。

（3）裝置E 中h 瓶收集到的粗產物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中含有鐵元素，為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預處理，使鐵元素還原成Fe2+，再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定。

① 反應的離子方程式：_______________。② 滴定前是否要滴加指示劑？_______________。（填“是”或“否”） ，請說明理由_______________。

③ 滴定前檢驗Fe3+ 是否完全還原的實驗操作是_______________。

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時得到一種可燃性氣體；

② 粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiCl3（Si+ 3HClSiCl3 + H2）

③ SiHC13與過量的H2在1100～1200℃的溫度下反應制得純硅，已知SiHCi3。能與水劇烈反應，在空氣中易自燃。

請回答：

（1）第一步制取粗硅的化學反應方程式為_________。

（2）粗硅與HCl氣體反應完全后，經冷凝得到的SiHCl3（沸點33.0℃ ）中含有少量SiC14 （沸點57.6℃）和HCl（沸點-84.7℃），提純SiHC13采用的方法為________。

（3）實驗室用SiHCl3 與過量的H2反應制取純硅裝置如圖所示（加熱和夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是___________，裝置C中的燒杯需要加熱，目的是___________。

②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現象是___________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________，裝置D中發生反應的化學方程式是___________。

③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及___________。

為測定某石灰石中CaCO3的質量分數，稱取Wg石灰石樣品，加入過量的濃度為6 mol/L的鹽酸，使它完全溶解，加熱煮沸，除去溶解的CO2，再加入足量的草酸按[（NH4）2C2O4］溶液后，慢慢加入氨水降低溶液的酸度，則析出草酸鈣沉淀，離子方程式為：C2O42-+ Ca2+= CaC2O4↓，過濾出CaC2O4后，用稀硫酸溶【解析】
CaC2O4＋H2SO4＝H2C2O4+ CaSO4，再用蒸餾水稀釋溶液至V0mL。取出V1mL用a mol/L的KMnO4酸性溶液滴定，此時發生反應2MnO4-+5H2C2O4=2Mn2++10CO2↑+8H2O，若滴定終點時消耗amol/L KMnO4V2mL，計算樣品中CaCO3的質量分數。

R+的結構示意圖為，則R元素在元素周期表中位于

A. 第三周期0族

B. 第四周期IA族

C. 第三周期IA族

D. 第三周期VIIA族

下列物質中既含有離子鍵又含有共價鍵的化合物是

A．NaCl B．H2O C．KOH D．CH3Cl

下列措施一定能使反應速率加快的是

A．升高溫度

B．加入生成物

C．縮小容器體積

D．增加反應物的物質的量

對于反應A(g)+3B(g）2C(g)+2D(g)來說，下列四種不同情況下的反應速率最快的是

A．v (A）=0.15 mol/(L?s）

B．v(B）=0.6 mol/(L?s)

C．v(C）=0.4 mol/(L?s）

D．v(D）=0.45 mol/(L?s)

下列物質性質的比較，不正確的是

A. 穩定性：H2O＞NH3

B. 堿性：NaOH ＞Al(OH)3

C. 氧化性：F2＞C12

D. 酸性：H2SO4＞HC1O4