【題目】決定化學反應速率的主要因素是（ ）
A.反應物的性質
B.反應溫度
C.催化劑
D.反應物的濃度
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【題目】隨原子序數的遞增，七種短周期元素(用字母x等表示)原子半徑的相對大小、最高正價或最低負價的變化如下圖所示。
根據判斷出的元素回答:
(1)x在元索周期表的位置是________________________。
(2)y的最高價氧化物對應的水化物與其氫化物反應，產物中含有化學鍵的類型為________________。
(3)d的單質在空氣中充分燃燒，所得產物的電子式為________；7.8g該產物與足量的水完全反應，轉移電子的數目為____________________。
(4)z、e、f的簡單離子半徑由大到小的順序為_______________(用離子符號表示)。
(5)能說明g的非金屬性比f強的實驗事實是________________(列舉一條)。
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【題目】鎵(Ga)被譽為第三代半導體的明屋元素，廣泛應用于電子工業。Ga位于周期表的第四周期，與A1同主族，主要存在Ga3+、GaO2-兩種離子形態。
(1)請畫出Ga的原子結構示意圖___________。
(2)請寫出Ga2O3溶解在NaOH溶液中的離子方程式_________________。
(3)氮化鎵(GaN)可用于制作藍色LED光源。GaN的傳統工藝是用GaCl3與NH3反應來制備，新工藝則采用金屬Ga與NH3在一定條件下來合成。已知:
①GaCl3(s)+NH3(g)=GaN(s)+3HCl(g) H1=+180kJ/mol
②2Ga(s)+6HCl(g)=2GaCl3(s)+3H2(g)H2=-492kJ/mol
③Ga(s)+NH3(g)=GaN(s)+3/2H2(g) H3
由上述反應可知H3=_____________。
已知H-H的鍵能為436kJ/mol，結合上圖分析，1molGaN含有_____molGa-N鍵，拆開lmolGa-N鍵所需能量為______kJ。
(4)工業上多用電解精煉法提純鎵。具體原理如下圖所示:
已知:金屬的活動性Zn>Ga>Fe>Cu
①A為電源的_____極，電解精煉鎵時產生陽極泥的主要成分是___________。
②電解過程中陽極產生的離子遷移到達陰極并在陰極放電析出高純鎵。請寫出電解過程的陰極的電極反應_______________。
③電解過程中需控制合適的電壓，若電壓太高時陰極會產生H2導致電解效率下降。若外電路通過0.4mole-時，陰極得到7.0g的鎵。則該電解裝置的電解效率η=___________。(η=生成目標產物消耗的電子數÷轉移的電子總數)。
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【題目】下列物質屬于同系物的是 （ ）
A．CH2=CH2和CH2=CHCH=CH2 B．CH3CH2Cl和CH2ClCH2CH2Cl
C．C2H5OH和CH4O D．CH3COOH和C17H33COOH
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【題目】某紅色固體粉末樣品可能含有Fe2O3和Cu2O中的一種或兩種，某化學興越小組對其組成進行探究。
已知Cu2O在酸性溶液中會發生歧化反應:Cu2O+2H+=Cu+Cu2++H2O。
方案一:
(1)學生甲取少量樣品于燒杯中，加入過量濃硝酸，產生一種紅棕色的氣體。由此可得出樣品中一定含有_______，寫出產生上述氣體的化學方程式_____________。
(2)進一步探究樣品中另一種成分。實驗操作步驟為:取少量上述反應后溶液，加入______(填化學式)溶液，觀察現象。
方案二:
(3)學生乙取少量樣品于燒杯中，加入過量稀硫酸，并作出如下假設和判斷，結論正確的____。
A.若固體全部溶解，說明樣品一定含有Fe2O3，一定不含有Cu2O
B.若固體部分溶解，說明樣品一定含有Cu2O，一定不含有Fe2O3
C.若固體全部溶解，再滴加KSCN溶液，溶液不變紅色，說明樣品一定含有Fe2O3和Cu2O
方案三:
學生丙利用下圖所示裝置進行實驗，稱量反應前后裝置C中樣品的質量，以確定樣品的組成。回答下列問題:
(4)裝置A是氫氣的發生裝置，可以使用的藥品是______(填選項)。
A.氫氧化鈉溶液和鋁片 B.稀硝酸和鐵片 C.稀硫酸利鋅片 D.濃硫酸和鎂片
(5)下列實驗步驟的先后順序是_____(填序號)。
①打開止水夾 ②關閉止水夾 ③點燃C處的酒精噴燈
④熄滅C處的酒精噴燈 ⑤收集氫氣并驗純
(6)假設樣品全部參加反應生成相應金屬單質，若實驗前樣品的質量為15.2g，實驗后稱得裝置C中固體的質最為12.0g。則樣品的組成是(若有多種成分，則須求出各成分的質量)_____。
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【題目】保護環境已成為當前和未來的全球性的重大課題之一，下列因為人類生產對環境破壞而帶來的后果是（ ）
①土地沙漠化 ②酸雨 ③水資源危機 ④南極上抽樣空洞 ⑤沙塵暴．
A.①②⑤
B.①②④⑤
C.②⑤
D.①②③④⑤
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【題目】A、B、C、D、E代表原子序數依次增大的前四周期元素，其中A和C為同一主族，C常用于制作半導體器件和集成電路，B的簡單氫化物的水溶液呈堿性，E元素的正三價離子的3d亞層為半充滿，D被稱為“未來金屬”，其重量輕、強度高、耐腐蝕，其在周期表中位于第4周期、第ⅣB族。
（1）A、B、C三種元素的第一電離能由小到大的順序為______________________，電負性由小到大的順序為____________________。
（2）B的簡單氫化物易液化的原因是_______________；BH4+中B原子的雜化方式為___________，空間構型為__________________。
（3）E元素基態原子的電子排布式為____________________________________。
（4）B和C形成的化合物常用作高溫耐火材料，化學性質穩定，據此推測它應屬于__________________晶體。
（5）D有多種氧化物，其中一種氧化物的晶胞結構如圖1所示，則該晶體中D的配位數為__________________；圖2為E的一種面心立方晶胞結構，若晶胞的邊長為acm，NA表示阿伏加德羅常數的值，則E的密度為__________________g·cm-3(用含a和NA的代數式表示)。
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