Question

【題目】N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多，具有重要的研究價值和應用價值。請回答下列問題：
（1）N元素與Al、Si等元素在一定條件下生成AlN和Si3N4 ， 實驗測得二者在真空條件下的穩定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料。請推測它們屬于晶體類型。
（2）PCl3和PCl5是磷元素形成的兩種重要化合物，請根據價電子互斥理論推測PCl3的空間構型。
（3）As的核外電子排布式中不同類型(s、p、d、f等)的電子比是 。
（4）Cr元素價電子排布式為。
（5）砷化鎵以第三代半導體著稱，性能比硅更優良，廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛星、宇宙飛船等尖端技術中已知砷化鎵的晶胞結構如右圖所示，則砷化鎵晶胞結構與NaCl晶胞(填“相同”或“不同”)。

（6）根據As和Ga在元素周期表中的位置判斷，第一電離能AsGa(填“＜”“＞”或“=”)。
（7）(CH3)3Ga中鎵原子的雜化類型為。

Answer 1

【答案】
（1）原子
（2）三角錐形
（3）s電子：p電子：d電子=8：15：10
（4）3d54s1
（5）不同
（6）＞
（7）sp2雜化；
【解析】（1）根據AlN和Si3N4 ， 穩定存在的最高溫度2200℃和1900℃，硬度類似金剛石，常用作耐高溫和耐磨材料等性質推測它們屬于原子晶體；
（2）PCl3 中P原子價層電子對個數是3且含有一個孤電子對，P采取sp3雜化，空間構型為三角錐形；
（3）As為33號元素，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3 ， 不同類型的電子比為s電子：p電子：d電子=8：15：10；
（4）Cr是24號元素，價電子排布式為3d54s1；
（5）GaAs晶體中As分布于晶胞體心，Ga分布于頂點和面心，而NaCl中陰陽離子分別位于晶胞的頂點、面心以及棱和體心，二者結構不同；
（6）同周期元素從左到右第一電離呈增大趨勢，但第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以則第一電離能：As＞Ga；
（7）(CH3)3Ga中Ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp2雜化；
所以答案是：（1）原子；（2）三角錐形；（3）s電子：p電子：d電子=8：15：10；（4）3d54s1；（5）不同；（6）＞；（7）sp2雜化；
【考點精析】利用原子晶體對題目進行判斷即可得到答案，需要熟知相鄰原子間以共價鍵相結合而形成空間網狀結構的晶體叫原子晶體．