Question

今年是“國(guó)際化學(xué)年”，我國(guó)的活動(dòng)主題是：化學(xué)，我們的生活，我們的未來(lái)．
（1）化學(xué)美化環(huán)境．工業(yè)廢水中若含有硫酸銅，一般可采取加入鐵粉或熟石灰進(jìn)行處理，請(qǐng)寫(xiě)出其中的兩個(gè)反應(yīng)的化學(xué)方程式：

Fe+CuSO₄=Cu+FeSO₄

、

Ca（OH）₂+CuSO₄=Cu（OH）₂↓+CaSO₄

．
（2）化學(xué)改變生活．NaN₃是汽車(chē)安全氣囊中使用的重要物質(zhì)，它能在瞬間釋放出大量氣體，同時(shí)生成Na，該反應(yīng)方程式為

2NaN₃

撞擊

2Na+3N₂↑

．汽車(chē)尾氣中的CO、NO₂是大氣污染物，可通過(guò)三效催化轉(zhuǎn)化器將其轉(zhuǎn)化為無(wú)污染的兩種氣體，它們的化學(xué)式是

N₂

、

CO₂

．
（3）化學(xué)引領(lǐng)技術(shù)．電腦芯片中需要多晶硅，制備分三個(gè)步驟：用碳與石英砂（SiO₂）在電爐中高溫，生成CO和粗硅（Si），反應(yīng)方程式為

SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO

，再將粉碎的粗硅（Si）與HCl氣體反應(yīng)生成SiHCl₃和H₂，反應(yīng)方程式為

Si+3HCl=SiHCl₃+H₂

，最后用H₂與SiHCl₃高溫下生成多晶硅（Si）和HCl．該過(guò)程中共有

三

個(gè)置換反應(yīng)．

Answer 1

分析：（1）根據(jù)鐵和硫酸銅反應(yīng)生成銅和硫酸亞鐵以及氫氧化鈣和硫酸銅反應(yīng)生成氫氧化銅沉淀和硫酸鈣進(jìn)行解答；
（2）根據(jù)NaN₃撞擊生成鈉和氮?dú)庖约癈O和NO₂通過(guò)三效催化轉(zhuǎn)化器將其轉(zhuǎn)化為無(wú)污染的兩種氣體是氮?dú)夂投�氧化碳進(jìn)行解答；
（3）根據(jù)碳與石英砂在電爐中高溫生成CO和粗硅以及粗硅（Si）與HCl氣體反應(yīng)生成SiHCl₃和H₂進(jìn)行解答；

解答：解：（1）鐵和硫酸銅反應(yīng)生成銅和硫酸亞鐵，反應(yīng)的化學(xué)方程式：Fe+CuSO₄=Cu+FeSO₄；氫氧化鈣和硫酸銅反應(yīng)生成氫氧化銅沉淀和硫酸鈣，反應(yīng)的化學(xué)方程式：Ca（OH）₂+CuSO₄=Cu（OH）₂↓+CaSO₄；
（2）NaN₃撞擊生成鈉和氮?dú)猓�反�?yīng)的化學(xué)方程式：2NaN₃

撞擊

2Na+3N₂↑；CO和NO₂通過(guò)三效催化轉(zhuǎn)化器將其轉(zhuǎn)化為無(wú)污染的兩種氣體是氮?dú)夂投�氧化碳，化學(xué)式為：N₂和CO₂；
（3）碳與石英砂在電爐中高溫生成CO和粗硅，反應(yīng)的化學(xué)方程式：SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO；粗硅（Si）與HCl氣體反應(yīng)生成SiHCl₃和H₂，反應(yīng)的化學(xué)方程式：Si+3HCl=SiHCl₃+H₂；最后用H₂與SiHCl₃高溫下生成多晶硅（Si）和HCl，反應(yīng)的化學(xué)方程式：H₂+SiHCl₃

高溫  .

Si+3HCl；都是單質(zhì)和化合物反應(yīng)生成新單質(zhì)和新化合物的反應(yīng)，屬于置換反應(yīng)．
故答案為：（1）Fe+CuSO₄=Cu+FeSO₄；Ca（OH）₂+CuSO₄=Cu（OH）₂↓+CaSO₄；（2）2NaN₃

撞擊

2Na+3N₂↑；N₂；CO₂；（3）SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO；Si+3HCl=SiHCl₃+H₂；三．

點(diǎn)評(píng)：根據(jù)題目信息，找出反應(yīng)物和生成物，再利用書(shū)寫(xiě)化學(xué)方程式的方法及步驟，根據(jù)質(zhì)量守恒定律，正確書(shū)寫(xiě)化學(xué)方程式；學(xué)會(huì)判定反應(yīng)類(lèi)型的方法．